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电子元器件详细资料 » IC[19996] » HGT1S10N120BNST
型号:HGT1S10N120BNST类别:IGBT - 单路制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB

详细参数

类别IGBT - 单路
描述IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
系列-
制造商Fairchild Semiconductor
IGBT类型NPT
电压_集电极发射极击穿111最大2221200V
VgewwwwIc时的最大Vce111开2222.7V @ 15V,10A
电流_集电极(Ic)111最大22235A
功率_最大298W
输入类型标准
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263AB
包装剪切带 (CT)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市鑫勇汇电子科技有限公司曹先生0755-82734075
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
深圳市品惠科技有限公司李先生0755-23996734
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳宇邦高科技有限公司朱小姐0755-82524712 0755-82525400
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939

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